| モデルリファレンス | 主な機能 | 応募要件 | |
| SMD結晶(XTAL) | 7U、7E、7F、7Y、7K、7R、7Lなど | センサーノード、携帯型端末装置 | |
| HCMOSクロック発振器(XO) | 3N, 2N, 1N, 0N MEMS | 広い出力周波数範囲(1MHz~200MHz)、高い電圧互換性(1.8V~3.3V)、低EMI、低ジッタ、高い温度安定性(±25ppm @-40~85℃) | エッジゲートウェイ、中低負荷AIコンピューティング |
| 差動発振器 | 3J/3D/3H 2J/2D/2H | 優れた高周波安定性(±25ppm @ -40~85℃)、超低ジッタ(<100fs)、小型パッケージ(最小2520サイズ) | エッジゲートウェイ、高負荷AI推論デバイス、データ融合プラットフォームなど。 |
| モデルリファレンス | 主な機能 | 応募要件 | |
| SMD結晶(XTAL) | 7U、7E、7F、7Y、7K、7R、7Lなど | 車両センサーノード、ボディAI制御ユニット | |
| ガラス製密閉クリスタル | 7Z、7V、6Iなど | 熱伝導率が低く、変形しない硬いトップカバー、優れた耐高温性、PCBポッティングプロセスに対応 | ワンキー点火スイッチ、中央制御パネル、モーター制御基板 |
| HCMOSクロック発振器(XO) | 3N, 2N, 1N, 0N | 広い出力周波数範囲(1MHz~200MHz)、高い電圧互換性(1.8V~3.3V)、低EMI、低ジッタ、高い温度安定性(±25ppm -40~85℃) | 車両センサーノード、ボディAI制御ユニット、AIプロセッサなど |
| 温度補償型水晶発振器(TCXO) | 7X、7Q、8W、5Tなど | 極めて高い広い温度安定性(±0.5ppm@-40℃~85℃)、低電圧(1.8V)、クリップド正弦波およびCMOS出力オプション | 測位モジュール、V2Xモジュール |
| MEMS発振器 | プログラマブルMEMS発振器 | 高い安定性(全周波数偏差±25ppm@-40℃~85℃)、低いジッター(1ps以内)、極めて高い耐衝撃性(60000Gの衝撃) | システムメインコントロールボード |
| モデルリファレンス | 主な機能 | 応募要件 | |
| 低EMI発振器(スペクトラム拡散水晶発振器) | カスタム | 産業用AI品質検査装置、モーター監視ノード | |
| MD結晶(XTAL) | 7U、7E、7F、7Y、7K、7R、7Lなど | 耐熱性(125℃)、耐湿性、低コスト | エネルギー監視センサー、低価格AI検出装置 |
| オーブン制御型水晶発振器(OCXO) | 1倍、9倍、2倍など | 極めて高い安定性(ppbレベルの周波数安定性をサポート)、強力な耐干渉性、温度の影響が最小限 | 高電圧電力検出 |
| モデルリファレンス | 主な機能 | 応募要件 | |